Гаркавенко, А.С.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за ...