Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001 за темою "Материалы для микроэлектроники"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001 за темою "Материалы для микроэлектроники"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры 
    Орлов, В.Д.; Удовицкий, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследованы тонкие пленки органических полупроводников с макроциклической структурой фталоцианина и дигидродибензотетрааза[14]аннулена. Подтверждено, что при напылении в вакууме химическая структура молекул органических ...
  • Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой ...
  • Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения 
    Мокрицкий, В.А.; Ленков, С.В.; Маслов, О.В.; Савельев, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для ...
  • Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники 
    Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых ...
  • Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe 
    Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и ...
  • Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники 
    Королюк, С.Л.; Королюк, С.С.; Раренко, И.М.; Тарко, О.Л.; Галочкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и ...
  • Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем 
    Дмитриев, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Показана пригодность двух независимых способов прогнозирования объемной доли межфазного слоя и диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и ее остаточного стекла при разном соотношении компонентов. Предложен ...
  • Токопроводящий клей на основе порошка меди 
    Каркина, Е.А.; Корецкий, В.Н.; Ленков, С.В.; Огарь, Д.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрена возможность замены в составах проводящих клеевых композиций порошков драгоценных металлов (серебро, золото) на порошок меди различных марок. Определено, что из серийно выпускаемых порошков меди приемлемым с ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис