Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

Вербицкий, В.Г. ; Золотаревский, В.И. ; Николаенко, Ю.Е. ; Самотовка, Л.И. ; Товмач, Е.С.

Інші назви: Constructive and technological limitations for a design of high voltage CMOS LSIC

Тема: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы

УДК: 621.382 (088-8)

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70809

Посилання: Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Дата: 2002

Завантажень: 701

Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

Анотація:

Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов.

Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils.

Показати повний запис статті