Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi

Abstract

Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ.

Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE.