Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.contributor.author	Круковский, С.И.
dc.contributor.author	Завербный, И.Р.
dc.contributor.author	Рыбак, О.В.
dc.contributor.author	Мрыхин, И.А.
dc.date.accessioned	2014-11-12T07:52:19Z
dc.date.available	2014-11-12T07:52:19Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70770
dc.description.abstract	Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.	uk_UA
dc.description.abstract	The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Энергетическая микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии	uk_UA
dc.title.alternative	Reception tandem heterostructures for photoconverters of a solar energy	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.383