Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Косяченко, Л.А.
dc.contributor.author Марков, А.В.
dc.contributor.author Остапов, С.Э.
dc.contributor.author Раренко, И.М.
dc.date.accessioned 2014-11-12T07:43:37Z
dc.date.available 2014-11-12T07:43:37Z
dc.date.issued 2002
dc.identifier.citation Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766
dc.description.abstract Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм. uk_UA
dc.description.abstract The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Материалы для микроэлектроники uk_UA
dc.title Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" uk_UA
dc.title.alternative Investigations of metal-semiconductor contact on the base of HgMnTe uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 546.711.49


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис