Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...