Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs

dc.contributor.author	Круковский, С.И.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned	2014-11-11T15:06:19Z
dc.date.available	2014-11-11T15:06:19Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70717
dc.description.abstract	Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Энергетическая микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.383