Анотація:
Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования наноструктурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий.