Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃

dc.contributor.author	Казаков, А.И.
dc.contributor.author	Андриянов, А.В.
dc.contributor.author	Миронов, В.С.
dc.contributor.author	Поляруш, О.В.
dc.date.accessioned	2014-11-08T17:24:47Z
dc.date.available	2014-11-08T17:24:47Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600
dc.description.abstract	Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.	uk_UA
dc.description.abstract	The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃	uk_UA
dc.title.alternative	The frequency dependence calculation of the HfO₂—Nd₂O₃ thin film dielectric parameters	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA