Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения

dc.contributor.author	Будзуляк, С.И.
dc.contributor.author	Корбутяк, Д.В.
dc.contributor.author	Лоцько, А.П.
dc.contributor.author	Вахняк, Н.Д.
dc.contributor.author	Калитчук, С.М.
dc.contributor.author	Демчина, Л.А.
dc.contributor.author	Конакова, Р.В.
dc.contributor.author	Шинкаренко, В.В.
dc.contributor.author	Мельничук, А.В.
dc.date.accessioned	2014-11-08T13:37:54Z
dc.date.available	2014-11-08T13:37:54Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.citation	Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.other	DOI: 10.15222/TKEA2014.2.45
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70571
dc.description.abstract	Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения.	uk_UA
dc.description.abstract	Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення.	uk_UA
dc.description.abstract	The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения	uk_UA
dc.title.alternative	Особливості трансформації домішково-дефектного комплексу в CdTe:Cl під дією НВЧ-опромінення	uk_UA
dc.title.alternative	Features of transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl under the influence of microwave radiation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	53.097, 535.241.5