Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл

Abstract

Показано, что использование двухзонного приближения для электронной структуры изолирующего слоя позволяет объяснить аномальную W-образную форму барьерных характеристик туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл. Предложены и обсуждаются туннельные эксперименты при высоких давлениях, которые позволят однозначно ответить на вопрос о соответствии особенностей туннельного спектра деталям зонной структуры полупроводниковых электродов.

It is shown that a two-band approximation for the electronic structure of an insulating layer makes it possible to explain an anomalous W-like shape of barrier characteristics for semimetal−insulator−metal tunnel junctions. High-pressure tunneling experiments that may definitely answer the question concerning correspondence of tunnel spectrum features to details of the band structure of semiconducting electrodes are proposed and discussed.