Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9)

Abstract

В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применением метода импедансной спектроскопии. Определены области существенных изменений электрических свойств.

У рамках пошуку матеріалів, які поєднують іонну провідність з сегнетоелектричними властивостями, було синтезовано халькогеніди (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведено дослідження їхнiх електричних властивостей в області частот до 200 kHz при тисках до 48 GPa і магнітних полях до 1 T із застосуванням методу імпедансної спектроскопії. Визначено області суттєвих змін електричних властивостей.

One of the areas of research at the department of low-temperature physics of IEN UrFU is the study of properties of multi-component chalcogenides under extreme exposures. This article is devoted to the effect of high pressure on the electrical properties of the (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9) samples, which are ferroelectrics at normal pressure. Tests were carried out at the temperature of 300 K, pressures up to 48 GPa, the frequencies of 1−200 kHz, magnetic fields up to 1 T.