О влиянии тока на физико-механические свойства монокристаллического кремния

Abstract

Показано, что протекание электрического тока плотностью j ~ 10⁴–10⁵ A/cm² через полупроводник со значительной концентрацией дефектов приводит к существенному увеличению пластической деформации в результате локального перегрева образца в области дефектов.

Показано, що протікання електричного струму густиною j ~ 10⁴–10⁵ A/cm² через напівпровідник із значною концентрацією дефектів призводить до суттєвого збільшення пластичної деформації в результаті локального перегріву зразка в області дефектів.

It has been shown that the current of the density j ~ 10⁴–10⁵ A/cm² through a semiconductor with significant defect concentration results in essential increase of plastic deformation due to local overheating of the sample within the defect area.