Влияние высокого гидростатического давления на кинетические свойства индия

Abstract

Впервые проведены измерения термоэдс индия при высоком давлении до 8 GPa. Обнаружено, что индий сохраняет положительный знак термоэдс во всем диапазоне давлений. Проведены прецизионные измерения электросопротивления индия под давлением. Предполагается, что при давлениях 3 GPa происходит изменение топологии ферми-поверхности индия без изменения кристаллической структуры.

Вперше проведено вимірювання термоерс індія при високому тиску до 8 GPa. Виявлено, що індій зберігає позитивний знак термоерс у всьому діапазоні тиску. Проведено прецизійні вимірювання електроопору індія під тиском. Передбачається, що при тиску 3 GPa відбувається зміна топології фермі-поверхні індія без зміни кристалічної структури.

Indium thermoemf has been for the first time measured under high pressure up to 8 GPa. It has been found that indium retains the positive value of thermoemf throughout the range of investigated pressure. Precise electroconductivity of indium has been measured under high hydrostatic pressure. It is assumed that at 3 GPa pressure indium topology of Fermi surface changes without its crystalline structure change.