Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди

Abstract

Исследовано влияние высоких давлений на структурные превращения в халькогенидах меди системы (GeSe)1-x(CuAsSe2)x при x = 1 и 0,95. В качестве чувствительных параметров использовали термоэлектродвижущую силу, электросопротивление и тангенс угла диэлектрических потерь. Установлены области давлений, в которых наблюдаются существенные изменения в поведении термоэдс и электрических свойств, связанных с возможными структурными переходами: в соединении CuAsSe2 (x = 1) при 19, 36 и 43 - 44 ГПа, в соединении (GeSe)0,05(CuAsSe2)0,95 (x = 0,95) при 27 ГПа и в области 38 - 43 ГПа.

Досліджено вплив високого тиску на структурні перетворення в халькогенідах міді системи (GeSe)1–х(CuAsSe2)x при x = 1 і 0.95. У якості чутливих параметрів використовували термоелектрорушійну силу, електроопір і тангенс кута діелектричних втрат. Встановлено області тиску, в яких спостерігаються суттєві зміни в поведінці термоедс і електричних властивостей, пов'язаних з можливими структурними переходами: у сполученні CuAsSe2 (x = 1) при 19, 36 і 43–44 GPa, у сполученні (GeSe)0.05(CuAsSe2)0.95 (x = 0.95) при 27 GPa і в області 38–43 GPa.

Effects of high pressures on structural changes of copper chalcogenides (GeSe)1–x(CuAsSe2)x have been investigated for x = 1 and 0.95. Thermoelectromotive force (thermoemf), resistance and the loss tangent of a dielectric have been used as sensitive parameters. The pressure ranges of noticeable changes in thermoemf and electrical properties are established. The changes can be connected to probable structural transitions: in compound CuAsSe2 (x = 1) at 19, 36 and 43–44 GPa, in compound (GeSe)0.05 (CuAsSe2)0.95 (x = 0.95) at 27 and 38–43 GPa.