Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn

Abstract

В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5.9 GPa на образце CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На зависимостях RH(P) кристаллов с большим (x ≥ 0.18) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.

У новому високотемпературному феромагнітному напівпровіднику p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в області кімнатних температур зміряно баричні залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Хола RH. На залежностях ρ(P) і RH(P) виявлено структурні фазові переходи, положення яких зрушуються у бік низького тиску зі збільшенням процентного вмісту марганцю від 5.9 GPa на зразку CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На залежностях RH(P) кристалів з великим (x ≥ 0.18) процентним вмістом марганцю виявлено аномалії, що, імовірно, обумовлено магнітними властивостями або наявністю домішкових центрів.

Baric dependences of specific electroresistance ρ and Hall coefficient RH have been measured for a new high-temperature ferromagnetic semiconductor Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) in the region of room temperatures. Structural phase transitions, positions of which move towards low pressures with the rise of manganese percentage from 5.9 GPa for CdGeAs2 sample up to 4.8 GPa for p-Cd0.64Mn0.36GeAs2 sample have been found on the dependences ρ(P) and RH(P). There have also been found anomalies on dependences RH(P) for crystals with higher manganese percentage (x ≥ 0.18) that are, probably, stipulated by either magnetic features or the presence of impurity centers.