Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом∙см, который работоспособен в интервале температур от –100 до +200°С и в диапазоне давлений от 0 до 20 МПа. Датчик предназначен для широкой области применений.
Представлено конструкцію дататчика тиску-температури на основі ниткоподібних кристалів кремнію р-типу, лелегованих бором, з питомим опором 0,005 Ом∙см, який є працездатним в інтервалі температури від –100 до +200°С і в діапазоні тиску від 0 до 20 МПа. Датчик призначений для широкої області застосувань.
The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm∙cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200°C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of applications.