Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Вербицкий, В.Г. |
|
dc.contributor.author |
Золотаревский, В.И. |
|
dc.contributor.author |
Самотовка, Л.И. |
|
dc.contributor.author |
Балай, Б.А. |
|
dc.contributor.author |
Вощинкин, А.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Коба, В.Л. |
|
dc.contributor.author |
Товмач, Е.С. |
|
dc.contributor.author |
Явецкий, А.А. |
|
dc.date.accessioned |
2014-02-15T18:48:43Z |
|
dc.date.available |
2014-02-15T18:48:43Z |
|
dc.date.issued |
2004 |
|
dc.identifier.citation |
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Л.И. Самотовка, Б.А. Балай, А.Ф. Вощинкин, В.Л. Коба, Е.С. Товмач, А.А. Явецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 40-44. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56301 |
|
dc.description.abstract |
Приводятся результаты проектирования и испытаний КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, аналога 1810ВМ86, при воздействии накопленной дозы γ-радиации до 10⁶ рад. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
uk_UA |
dc.title |
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
uk_UA |
dc.title.alternative |
КМОН ВІС 16-розрядного мікропроцесора, стійкого до впливу γ-радіації |
uk_UA |
dc.title.alternative |
The 16-bit microprocessor CMOS LSIC hardened against influence of the γ-radiation |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті