Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

dc.contributor.author	Олих, Я.М.
dc.contributor.author	Лисюк, И.А.
dc.contributor.author	Тимочко, Н.Д.
dc.date.accessioned	2014-02-01T21:28:28Z
dc.date.available	2014-02-01T21:28:28Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54421
dc.description.abstract	На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge	uk_UA
dc.title.alternative	Акустостимульоване зниження температури відпалу радіаційних дефектів у кристалах Ge	uk_UA
dc.title.alternative	Acoustostimulated decrease the annealing temperature of radiation defects in the Ge crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA