Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах

dc.contributor.author	Балицкий, А.А.
dc.date.accessioned	2014-01-22T22:11:16Z
dc.date.available	2014-01-22T22:11:16Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53557
dc.description.abstract	Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах	uk_UA
dc.title.alternative	Формування гетероструктур GaTe/CdSe для використання в сонячних елементах	uk_UA
dc.title.alternative	Formation of GaTe/CdSe heterostructures for solar cells applications	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA