Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Савицкий, Г.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).