Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

dc.contributor.author	Джафарова, Э.А.
dc.date.accessioned	2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.available	2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397
dc.description.abstract	Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе	uk_UA
dc.title.alternative	Нестаціонарні електронні процеси у бар'єрних структурах та прилади на їх основі	uk_UA
dc.title.alternative	Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices on their basis	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA