Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Леонов, Н.И. |
|
dc.contributor.author |
Лемешевская, А.М. |
|
dc.contributor.author |
Дудар, Н.Л. |
|
dc.contributor.author |
Гетьман, С.Н. |
|
dc.date.accessioned |
2014-01-14T22:56:15Z |
|
dc.date.available |
2014-01-14T22:56:15Z |
|
dc.date.issued |
2006 |
|
dc.identifier.citation |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52971 |
|
dc.description.abstract |
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
uk_UA |
dc.title |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора |
uk_UA |
dc.title.alternative |
The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті