Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs

dc.contributor.author	Мелебаев, Д.
dc.contributor.author	Мелебаева, Г.Д.
dc.contributor.author	Рудь, Ю.В.
dc.contributor.author	Рудь, В.Ю.
dc.date.accessioned	2014-01-07T18:49:44Z
dc.date.available	2014-01-07T18:49:44Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810
dc.description.abstract	Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Нові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	New possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA