Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 4
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Горев, Н.Б.
;
Коджеспирова, И.Ф.
;
Привалов, Е.Н.
Інші назви:
Вольт-фарадні характеристики іонно-імплантованих струкіур GaAs
Capacitance-voltage characteristics of GaAs ion-implanted structures
Тема:
Материалы электроники
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52449
Посилання:
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
Дата:
2008
Переглядів:
820
Завантажень:
789
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Анотація:
Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
13-Gorev.pdf
Розмір:
103.8Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 4
[19]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація