Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Дружинин, А.А.
dc.contributor.author Кутраков, А.П.
dc.contributor.author Марьямова, И.И.
dc.date.accessioned 2013-12-07T14:49:10Z
dc.date.available 2013-12-07T14:49:10Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния / А.А. Дружинин, А.П. Кутраков, И.И. Марьямова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51721
dc.description.abstract Проведены исследования, направленные на создание тензорезистивных датчиков давления на основе ни/невидных кристаллов кремния, работоспособных при высоких температур. Использование стеклоприпоя для крепления тензорезисторов на упругих элементах датчиков из коварового сплава позволило новысить диапазон рабочих температур датчиков. Па основе предложенной тензомодульной конструкции разработаны датчики давления различной модификации. uk_UA
dc.description.abstract Проведено дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних датчиків тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію, працездатних при високих температурах. Використання склоприпою для кріплення тензорезисторів на пружних елементах датчиків з коварового сплаву дозволило підвищити діапазон робочих температур датчиків. Па основі запропонованої тензомодульної конструкції розроблено датчики тиску різної модифікації. uk_UA
dc.description.abstract Studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors based on silicon whiskers, operating at high temperatures were carried out. Using the glass adhesive for strain gauges mounting on spring elements of covar alloy gave the possibility to elevate the sensor’s operating temperature range. Several modifications of pressure sensors based on the proposed strain-unit design were developed. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Сенсоэлектроника uk_UA
dc.title Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния uk_UA
dc.title.alternative Високотемпературні датчики тиску з тензорезисторами на основі ниткоподібних кристалів кремнію uk_UA
dc.title.alternative High-temperature pressure sensors with strain gauges based on silicon whiskers uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.315.592


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис