Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

Abstract

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик», имеет линейный характер. Предложена концепция создания сенсоров на базе НК Si1–хGeх для одновременного измерения индукции магнитного поля и температуры.

Представлено результати досліджень електрофізичних властивостей ниткоподібних нанокристалів (НК) Si1–хGeх під дією магнітного поля за низьких температур. Польова залежність опору зразків, легованих до концентрації носіїв, яка відповідає діелектричному боку переходу «метал—діелектрик», має лінійний характер. Запропоновано концепцію створення сенсорів на базі НК Si1–хGeх для одночасного вимірювання індукції магнітного поля і температури.

The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si1–xGex nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed.