Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Семенов, А.А. |
|
dc.contributor.author |
Усанов, Д.А. |
|
dc.contributor.author |
Колокин, А.А. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-06T21:29:24Z |
|
dc.date.available |
2013-12-06T21:29:24Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier.citation |
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51696 |
|
dc.description.abstract |
Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Запропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням.Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n—i—p—i—n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеногоелектричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n—i—p—i—n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
uk_UA |
dc.title |
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Індуктивність, що електрично перестроюється напівпровідниковою структурою |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Inductance, electrically adjusted by semiconductor structure |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.38.049.77 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті