Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Семенов, А.А.
dc.contributor.author Усанов, Д.А.
dc.contributor.author Колокин, А.А.
dc.date.accessioned 2013-12-06T21:29:24Z
dc.date.available 2013-12-06T21:29:24Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51696
dc.description.abstract Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу. uk_UA
dc.description.abstract Запропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням.Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n—i—p—i—n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеногоелектричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному. uk_UA
dc.description.abstract A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n—i—p—i—n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микро- и наноэлектроника uk_UA
dc.title Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой uk_UA
dc.title.alternative Індуктивність, що електрично перестроюється напівпровідниковою структурою uk_UA
dc.title.alternative Inductance, electrically adjusted by semiconductor structure uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.38.049.77


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис