Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Прохоров, Э.Д.
dc.contributor.author Боцула, О.В.
dc.contributor.author Клименко, О.А.
dc.date.accessioned 2013-09-19T20:23:09Z
dc.date.available 2013-09-19T20:23:09Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1025-6415
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49491
dc.description.abstract Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. uk_UA
dc.description.abstract Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу ''сендвіч'' на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот. uk_UA
dc.description.abstract The current-voltage characteristics and the effectiveness of the generation in diodes with tunnel boundaries in structures of the sandwich type on the basis of GaAs are studied. The effect of the intervalley electron transfer in the areas adjacent to the tunnel border on the generation efficiency for diodes in a certain frequency range is described. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Доповіді НАН України
dc.subject Фізика uk_UA
dc.title Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs uk_UA
dc.title.alternative Вплив міждолинного перенесення електронів на ефективність генерації діодів з тунельними межами на основі GaAs uk_UA
dc.title.alternative Effect of intervalley electron transfer on the efficiency of the generation in diodes with tunnel boundaries based on GaAs uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.382.2


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис