Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
УДК:
621.317
Посилання:
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
Дата:
2011
Переглядів:
1004
Завантажень:
598
Анотація:
The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
