Radiation-induced effects in silicon

Abstract

Results of complex studies of the structural properties of silicon irradiated with light ions of megaelectronvolt energies by fluences greater than 10¹⁶ cm⁻² are presented. It was found that during irradiation under conditions of large energy release in thin layer of crystal, the favorable conditions can be created for the controlled introduction of structural defects and the appearance of the effects of ordering and long-range. The possibility of layer-by-layer modification of the properties of silicon at depths up to 780 μm under irradiation with ions was established that can be used to provide the actual needs of micro- and nanoelectronics.

Представлено результати комплексних досліджень структурних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами мегаелектронвольтних енергій флюенсами, що перевищують 10¹⁶ cm⁻². Виявлено, що в разі опромінення в умовах великого енерговиділення в тонкому шарі кристала можуть створюватися сприятливі умови для контрольованого введення структурних дефектів і виникнення ефектів упорядкування і далекодії. Встановлено можливість пошарової модифікації властивостей кремнію на глибинах до 780 мкм у разі опромінення іонами, що може бути використано для забезпечення актуальних потреб мікро- і наноелектроніки.

Представлены результаты комплексных исследований структурных свойств кремния, облученного легкими ионами мегаэлектронвольтных энергий флюенсами, превышающими 10¹⁶ cm⁻². Выявлено, что при облучении в условиях большого энерговыделения в тонком слое кристалла могут создаваться благоприятные условия для контролируемого введения структурных дефектов и возникновения эффектов упорядочения и дальнодействия. Установлена возможность послойной модификации свойств кремния на глубинах до 780 мкм при облучении ионами, что может быть использовано для удовлетворения актуальных потребностей микро- и наноэлектроники.