В W-устойчивой клеточной линии сои, которую культивировали в присутствии анионов WO4^2-; VO3^-; ClO3^- и на контрольной среде изучали динамику содержания уровня свободного пролина. Селективные среды с ионами вольфрама или ванадия содержали только нитраты; селективные среды с KClO3 содержали либо нитратную, либо аммиачную форму азота. Уровень свободного пролина в клетках при культивировании в стрессовых условиях превышал контрольный показатель от 1,5 до 4,9 раз. Однако комплексная устойчивость линии сои связана скорее с реализацией зависимых от условий культивирования механизмов его синтеза/деградации, отражающейся в различном характере колебаний уровня свободного пролина.
У W-стійкої клітинної лінії сої, яку культивували в присутності аніонів WO4^2-; VO3^-; ClO3^- та на контрольному середовищі досліджували динаміку вмісту рівня вільного проліну. Селективні середовища з іонами вольфраму або ванадію містили лише нітрати; селективні середовища з KClO3 містили або нітратну, або аміачну форму азоту. Рівень вільного проліну в клітинах при культивуванні за стресових умов перевищував контрольний показник від 1,5 до 4,9 разів. Однак, комплексна стійкість лінії сої пов’язана скоріше з реалізацією залежних від умов культивування механізмів синтезу/деградації, яка відображається в різному характері коливань рівня вільного проліну.
There was investigated the free proline levels fluctuations in calli of the W-resistant soybean cell line, cultivated at presence of WO4^2-; VO3^-; ClO3^- anions and on the control medium. Selective media with tungsten or vanadium ions contained only nitrates, where as selective media with KClO3 contained either nitrates or ammonium forms of nitrogen. The cell free proline levels during cultivation under stress conditions were from 1,5 to 4,9 times higher than the control one was. However, the cell combined stress resistance is rather reflected through various types of proline level fluctuations. The lasts are the result of the developed condition-dependent mechanisms of the proline synthesis/degradation.