Одержано полікристалічні нелінійні матеріали на основі твердих розчинів AgNb₁₋ₓTaₓO₃ (ANT) зі структурою перовскіту, вивчено хімічні перетворення при їх твердофазному синтезі. Встановленовплив легкоплавких домішок Zn₂TiO₄ та ZnB₂O₄ на температуру спікання кераміки ANT, її фазовий склад і мікроструктуру. Вперше, за рахунок введення легкоплавких домішок Zn₂TiO₄ і ZnB₂O₄ у склад ANT, при спіканні на повітрі отримано однофазну щільну кераміку з високим рівнем діелектричних властивостей (e~400—470, tgδ ~10⁻²). Знайдено, що у випадку 1—2 % мас. Zn₂TiO₄ величина відносного коефіцієнту нелінійності nR матеріалу досягає ~10 % при відносно невисокій напруженості поля (Е =3×10⁶ В/м).
Получены нелинейные поликристаллические материалы на основе твердых растворов AgNb₁₋ₓTaₓO₃ (ANT) со структурой перовскита, изучены химические превращения при их твердофазном синтезе. Установлено влияние легкоплавких добавок Zn₂TiO₄ и ZnB₂O₄ на температуру спекания керамики ANT, ее фазовый состав и микроструктуру. Впервые, за счет введения легкоплавких добавок Zn₂TiO₄ и ZnB₂O₄ в состав ANT, при спекании на воздухе получена однофазная плотная керамика с высоким уровнем диэлектрических свойств (e ~400—470, tgδ ~10⁻²). Найдено, что в случае 1—2 % мас. Zn₂TiO₄ величина относительного коэффициента нелинейности nR материала достигает 10—15 % при относительно невысокой напряженности поля (Е =3×10⁶ В/м).
The polycrystalline tunable materials based on solid solutions AgNb₁₋ₓTaₓO₃ (ANT) with perovskite structure have been obtained and chemical transformations of their solid phase synthesis have been studied. The effect of low-melting additives Zn₂TiO₄ and ZnB₂O₄ on the temperature of sintering of ceramics ANT, its phase composition and microstructure has been determined. First, by introducing a low-melting additive Zn₂TiO₄ and ZnB₂O₄ in ANT, during sintering in air single-phase dense ceramics with high dielectric properties was obtained (e ~400—470, tgδ ~10⁻²). It was found that in case of 1—2 wt. % Zn₂TiO₄ value of the relative coefficient of tunability nR of materials achieves ~10 % at relatively low field strength (Е = 3×10⁶ V/m).
