Проведен RF PE MOCVD-синтез германиевых наночастиц (ГНЧ) с использованием β-дикетонатных комплексов германия(IV) как прекурсоров и различных типов каталитически активированных подложек. Установлено, что оптимальной температурой синтеза наночастиц является значение 120 °С, что на 200—330 °С меньше, чем при обычном CVD-синтезе аналогичных наноструктур. Методом сканирующей электронной микроскопии (SEM) изучены морфологические свойства ГНЧ. Показано, что в зависимости от типов подложек размеры наночастиц находятся в интервале от 10 до 800 нм.
Проведено RF PE MOCVD-синтез германієвих наночасток (ГНЧ) з використанням β-дикетонатних комплексів германію(IV) як прекурсорів та різних типів каталітично-активованих підкладок. Встановлено, що оптимальною температурою синтезу наночастинок є значення 120 °С, що на 200—330 °С менше, ніж при звичайному CVD-синтезі аналогічних наноструктур. Методом скануючої електронної мікроскопії (SEM) вивченo морфологічні властивості ГНЧ. Показано, що залежно від типів підкладок розміри наночастинок знаходяться в інтервалі від 10 до 800 нм.
RF PE MOCVD-synthesis of germanium nanoparticles (GeNPs) has been using β-diketonate complexes of germanium (IV) as precursors and different types of catalytically-activated substrates. Found that the optimum temperature synthesis of nanoparticles is 120 °С, which is 200—330 °С lower than the usual CVD-synthesis of similar nanostructures. Scanning electron microscopy (SEM) studied the morphological properties of the GeNPs. It is shown that the size of the nanoparticles is found in the range from 10 to 800 nm depending on the type of substrate.