Анотація:
Изучено содержание K₂SiF₆ в осадке, образующемся при электролизе растворов SiO₂ в расплаве KCI-КF-К₂SiF₆ состава, близкого к тройной эвтектике KCI-КF-К₃SiF₇. Показано, что осадки с высокой концентрацией K₂SiF₆ образуются, когда состав расплава-растворителя SiO₂ совпадает на фазовой диаграмме с полем кристаллизации К₃SiF₇.