Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ

Abstract

Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.

Досліджено вплив опромінення електронами при T  10 К (енергія 0,5–2,5 MеВ, доза 10¹⁸ cм⁻²) на параметри розсіювання носіїв заряду та характеристики надпровідного переходу в оптимально допованому монокристалі Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Опромінення електронами призводить до значного зростання залишкового опору та температури Дебая. Останнє обумовлено ізотропізацією фононного спектра через зростання концентрації дефектів. Опромінення призводить також до зменшення Тс та збільшення довжини когерентності.

The effect of electron irradiation at T  10 K (energy 0.5–2.5 MeV, dose 10¹⁸ cм⁻²) on the parameters of charge carrier scattering and superconducting transition characteristics in an optimally doped Y–Ba–Cu–O single crystal (Tc = 91.74 K) was studied. Irradiation with electrons leads to a significant increase in the residual resistance and the Debye temperature. The latter is associated with the isotropization of the phonon spectrum due to an increase in the concentration of defects. Irradiation also leads to a decrease in Tc and an increase in the coherence length.