Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺

dc.contributor.author	Волошин, В.А.
dc.contributor.author	Михеенко, П.И.
dc.contributor.author	Бабенко, В.В.
dc.contributor.author	Бутько, В.Г.
dc.contributor.author	Резник, И.М.
dc.contributor.author	Южелевский, Я.И.
dc.date.accessioned	2021-02-01T15:20:52Z
dc.date.available	2021-02-01T15:20:52Z
dc.date.issued	1995
dc.identifier.citation	Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175486
dc.description.abstract	Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в двумерных слоях минимальной ЭП.	uk_UA
dc.description.abstract	Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні мальної ЕГ.	uk_UA
dc.description.abstract	The electron density distribution of the cells of Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super current flows in two-dimensional layers of the lowest electron density.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Эта работа проводилась в рамках темы Государ ственного комитета Украины по вопросам науки и технологий (09.01.01 /034-94 NUT) и частично вы полнена благодаря поддержке Международного научного фонда, учрежденного Дж. Соросом (грант No. U 1G000).	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.title	Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺	uk_UA
dc.title.alternative	The electron density variation in YBa₂Cu₃O₇ crystals on substitution of Y³⁺ by the Рг⁴⁺ ion	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	538.913