Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Венгер, Є.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Матвеєва, Л.О. |
|
dc.contributor.author |
Колядіна, О.Ю. |
|
dc.contributor.author |
Клименко, А.П. |
|
dc.date.accessioned |
2008-09-02T17:07:19Z |
|
dc.date.available |
2008-09-02T17:07:19Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. |
en_US |
dc.identifier.issn |
1025-6415 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/1747 |
|
dc.description.abstract |
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs. |
en_US |
dc.language.iso |
uk |
en_US |
dc.publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
en_US |
dc.subject |
Фізика |
en_US |
dc.title |
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
en_US |
dc.type |
Article |
en_US |
dc.status |
published earlier |
en_US |
dc.identifier.udc |
621.321.592 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті