Процессы фазовой релаксации электронов в неупорядоченных пленках золота, подвергнутых облучению ионами аргона

Abstract

На основании анализа квантових поправок к магпитопроводимости тонких пленок золота, связанных с эффектом слабой локализации электронов, найдены температурные зависимости (в интервале 0,5-50 К) времени фазовой релаксации электронов при различной степени разупорядочения. Усиление беспорядка кристаллической решетки достигалось облучением пленок ионами аргона в вакууме. Обнаружено,что скоро­сти не упругой электронной релаксации, связанной с электрон-фононным рассеянием, описываются зависимостью вида, в которой показатель степени равен двум для низкоомных пленок и несколько возрастает при сильном разупорядочении; при этом появляется зависимость от длины свободного пробега, определяющая уменьшение скорости электрон-фопонного взаимодействия. Такое поведение, при разупорядочении может быть объяснено переходом от «чистого» к «грязному» пределу, когда t оказывается порядка длины волны тепловых фоnонов, а причиной заниженного значения (посравнению с предсказанием теории) является, по-видимому, двумерность электрон-фопонного взаимодействия в топких пленках.