Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox

Abstract

На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с име­ющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменение зарядовых состояний атомов в зависимости от ионного радиуса.

На підставі зіставлення теоретично розрахованого тензора градієнта електричного поля з наявними експе­риментальними даними визначено розподіл зарядових станів усіх атомів в елементарній комірці RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проаналізовано зміну зарядових станів атомів в залеж­ності від іонного радіуса.

Based on the comparison between theoretical and experimental data on electric field gradient tensor, the distribution of charge states of all atoms over the unit cell of RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг) is determined. Variation on the charge states of atoms as a function of ionic radius is considered.