Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности

Abstract

Представлены конструкция и принцип работы системы для измерения остаточной поверхностной β-активности образца, облученного пучком тормозного излучения или электронов. В измерительной системе используется тонкий планарный кремниевый детектор с высокой эффективностью регистрации β-частиц, что позволяет надежно идентифицировать их на фоне гамма-квантов β-распада и, тем самым, получить достоверную информацию о распределении β-активности. С использованием данной системы были проведены исследования возможности измерения профилей как интенсивных пучков электронов, так и генерированного ими в конвертере тормозного излучения.

Представлено конструкцію та принцип роботи системи для виміру залишкової поверхневої β-активності зразка, опроміненого пучком гальмового випромінювання або електронів. У вимірювальній системі використовується тонкий планарный кремнієвий детектор з високою ефективністю реєстрації β-частинок, що дозволяє надійно ідентифікувати їх на тлі гамма-квантів β-розпаду і, тим самим, одержати достовірну інформацію про розподіл β-активності. З використанням даної системи були проведені дослідження можливості виміру профілів як інтенсивних пучків електронів, так і генерованого ними в конвертері гальмового випромінювання.

The system allows to measure distribution of surficial β-activity target, which radiation-exposed in the stream of gamma-radiation or electrons. The profile of residual β-activity of the thin radiation-exposed target corresponds the profile of primary beam of gamma-radiation or electrons with energies higher than threshold of nuclear reactions. Activity of the explored area of target is registered a semiconductor silicon detector. Distribution of activity target along the line of scanout is formed by the multiport ADC. The system allows to define the profile of gamma-radiation or electrons beams on the output of accelerator.