Гайдар, Г.П.
(Доповіді НАН України, 2019)
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в
насиченні для кристалографічних ...