Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Рахматов, А.З.
dc.contributor.author	Абдулхаев, О.А.
dc.contributor.author	Арипова, У.Х.
dc.contributor.author	Хидирназарова, А.Ю.
dc.contributor.author	Кулиев, Ш.М.
dc.date.accessioned	2019-04-03T18:31:27Z
dc.date.available	2019-04-03T18:31:27Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.other	DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276
dc.description.abstract	Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности.	uk_UA
dc.description.abstract	Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6.	uk_UA
dc.description.abstract	This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	СВЧ-техника	uk_UA
dc.title	Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки	uk_UA
dc.title.alternative	Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки	uk_UA
dc.title.alternative	Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592.2:546.681'19