Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню

Abstract

Досліджено механізми зміни провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» найпростіших резистивних сенсорів під впливом перекису водню. Показано, що зміна провідності сенсора під час розкладу перекису водню в присутності наночастинок срібла відбувається за рахунок двох конкуруючих процесів — екстракції електронів з об’єму кремнію у пористий кремній та розігріву структури в результаті реакції розкладу перекису водню.

Исследовано влияние концентрации перекиси водорода на проводимость системы «пористый кремний с наночастицами серебра — кремний». Пористый слой был образован двухстадийным химическим травлением в присутствии металлов с наночастицами Ag. С целью изучения процессов, происходящих в пористом слое при детектировании перекиси водорода, был использован простой резистивный сенсор, в котором наночастицы серебра выполняли роль катализатора.

The authors investigate the influence of hydrogen peroxide concentration on the conductivity of the porous silicon with silver nanoparticles / crystalline silicon system. A simple resistive sensor with Ag nanoparticles was used as a catalyst in order to study processes occuring in porous silicon during hydrogen peroxide detection. Porous silicon was formed using a two-stage metal-assisted chemical etching with Ag nanoparticles.