Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему

dc.contributor.author	Кирилов, О.A.
dc.contributor.author	Кукуєва, В.В.
dc.date.accessioned	2019-02-08T17:49:37Z
dc.date.available	2019-02-08T17:49:37Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему / О.A. Кирилов, В.В. Кукуєва // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 14-17. — Бібліогр.: 9 назв. —укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	2617-5975
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146282
dc.description.abstract	Напівемпіричним МНДП та ab initio методами проведено квантово-хімічні розрахунки імовірних шляхів термічної деструкції галогенпохідних етану, що за експериментальними даними проявляють істотний інгібуючий ефект. Для найбільш реакційноздатних щодо активних центрів полум’я продуктів розкладу змодельована їхня іммобілізація на поверхні кремнезему.	uk_UA
dc.description.abstract	A quantum chemical study on the probable thermal destruction routes of halogenated ethane derivatives (which perform an essential inhibition efficiency) has been carried out by both semiempirical MNDO and ab initio methods. The immobilization on silica surface has been simulated of the destruction products that are the most active towards fire particles.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Поверхность
dc.subject	Моделювання процесів на поверхні	uk_UA
dc.title	Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему	uk_UA
dc.title.alternative	Тhеоretical study on inhibition capability of the ethane halogen derivatives immobilized onto silica surface	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	541.128.12