Показано, що при нанесенні шару SiO₂ завтовшки ~40 Å потенціал взаємодії V₀(х,L) в багатошаровій системі метал–кремнезем–вакуум є аналогічним потенціалу взаємодії заряду з поверхнею дисперсного кремнезему.
The deposition of a SiO₂ layer with the thickness of ~40 Å has been shown to make the interaction potential V₀(х,L) in the multilayer structure metal-silica-vacuum similar to that of a charge with disperse silica surface.