В результате исследований закономерностей формирования прецизионных поверхностей элементов из анизотропных монокристаллических материалов для оптоэлектронной техники сформулирована обобщенная модель съема обрабатываемого материала при полировании суспензиями полировальных порошков. Установлено, что производительность полирования плоскостей сапфира с различной кристаллографической ориентацией возрастает в ряду m < c < a < r при увеличении объема, площади поверхности и наиболее вероятного размера частиц шлама, а также энергии диспергирования материала с обрабатываемой грани.
В результаті дослідження закономірностей формування прецизійних поверхонь елементів з анізотропних монокристалічних матеріалів для оптоелектронної техніки сформульована узагальнена модель зняття оброблюваного матеріалу при поліруванні суспензіями полірувальних порошків. Встановлено, що продуктивність полірування площин сапфіру з різною кристалографічною орієнтацією зростає в ряду m < c < a < r при збільшенні об’єму, площі поверхні та найбільш ймовірного розміру частинок шламу, а також енергії диспергування матеріалу з грані, що оброблюється.
The studies of regularities of formation of elements of precision surfaces of anisotropic single crystal materials for optoelectronic technology formulated generalized model of the processed material removal during polishing slurries polishing powders. It is found that the performance of the polishing planes of sapphire with different crystallographic orientations increases in the m < c < a < r by increasing the volume, surface area and particle size of the most probable slurry and energy dispersion material machined faces.
