Магниточувствительные транзисторы

dc.contributor.author	Викулина, Л.Ф.
dc.date.accessioned	2018-07-14T15:56:26Z
dc.date.available	2018-07-14T15:56:26Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Магниточувствительные транзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140701
dc.description.abstract	Описаны принципы действия и приведены основные электромагнитные характеристики новых полупроводниковых приборов - магниточувствительных транзисторов.	uk_UA
dc.description.abstract	The main operation principles are described and the key characteristics of new semiconductor devices — magnetosensitive transistors are given.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Магниточувствительные транзисторы	uk_UA
dc.title.alternative	Магніточутливі транзистори	uk_UA
dc.title.alternative	The magnetosensitive transistors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA