Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за темою "Материалы электроники"
-
Самойлович, М.И.; Ринкевич, А.Б.; Белянин, А.Ф.; Пащенко, П.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Изучено строение и возможности применения в СВЧ-технике слоистых структур CО/Ir на подложках из регулярных упаковок наносфер SiO₂ (опаловых матриц) и образцов опаловых матриц, содержащих в нанополостях кобальт.
-
Belyanin, А.F.; Borisov, V.V.; Daghetsyan, S.A.; Evlashin, S.A.; Pilevsky, A.A.; Samorodov, V.A.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first ...
-
Turtsevich, A.S.; Nalivaiko, O.Y.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
Modernization of horizontal low pressure deposition system has been performed. The liquid source delivery system using the bubblers has been developed. The PSG and BPSG film deposition processes and film properties using ...
-
Tinkova, V.S.; Yakubovskaya, A.G.; Tupitsyna, I.A.; Abashin, S.L.; Abashin, S.L.; Tretyak, S.O.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019)
Nano-sized and micro-sized ZnWO₄ powders were obtained by different methods: hydrothermal synthesis with microwave heating, molten salt method, solid-state synthesis and сrushing of bulk crystals. Their morphological ...
-
Dzhafarov, T.D.; Aslanov, S.S.; Ragimov, S.H.; Sadigov, M.S.; Nabiyeva, A.F.; Aydin Yuksel, S.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
In the present paper the method is shown to improve the photovoltaic parameters of screenprinted silicon solar cells by nanoporous silicon film formation on the frontal surface of the cell using the electrochemical etching. ...
-
Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа ...
-
Жавжаров, Е.Л.; Матюшин, В.М.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Определена стабильность во времени потенциала поверхности кристаллов кремния после их модификации, выявлена зависимость механизма взаимодействия атомарного водорода с кристаллами от их параметров.
-
Храмов, Е.Ф.; Прохоров, Г.В.; Пелихатый, Н.М.; Гнап, А.К.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля ...
-
Ануфриев, Л.П.; Керенцев, А.Ф.; Ланин, В.Л.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Исследовалась возможность применения пресс-материалов MG-40FR и МЭП-5Т в производстве полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах. Для повышения влагоустойчивости приборов требуется снижение до минимума содержания ...
-
Кулинич, О.А.; Смынтына, В.А.; Глауберман, М.А.; Чемересюк, Г.Г.; Яцунский, И.Р.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Показано, каким образом дефекты исходного кремния влияют на структурные изменения поверхности и приповерхностной области в процессе высокотемпературного окисления.
-
Махний, В.П.; Герман, И.И.; Бодюл, Г.И.; Сенко, И.М.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
В настоящей работе исследовано влияние модификации поверхности подложек ZnSe:Te на их спектры люминесценции и оптического пропускания. Путем травления подложек ZnSe:Te в растворах CrO₃:HCl=2:1 и H₂SO₄:H₂O₂=3:1 были получены ...
-
Попов, В.М.; Шустов, Ю.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
-
Пигур, О.Н.; Попович, В.Д.; Potera, P.; Вирт, И.С.; Цибрий, З.Ф.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Изменения в спектрах поглощения монокристаллов CdTe и CdTe:Cl p-типа объяснены пассивацией водородом мелких собственных дефектов акцепторного типа, в основе которых лежит вакансия кадмия и возникновением изолированных ...
-
Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Кудринский, З.Р.; Кушнир, Б.В.; Нетяга, В.В.; Хомяк, В.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и ...
-
Усов, В.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Пластическая обработка трансформаторной стали Fe – 3% Si, имеющей объемно центрированную кубическую решетку, приводит к возникновению качественно новых свойств — анизотропии электропроводности. Учет этой анизотропии позволит ...
-
Кондрик, А.И.; Ковтун, Г.П.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019)
С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность ...
-
Алиева, А.П.; Кахраманов, С.Ш.; Кахраманов, А.Ш.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период ...
-
Смынтына, В.А.; Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Свиридова, О.В.; Марчук, И.А.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих ...
-
Трубаева, O.Г.; Чайка, M.A.; Зеленская, O.В.; Лалаянц, А.И.; Галкин, С.Н.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, ...
-
Дмитриев, М.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
Дана оценка раздельного влияния химических и структурных изменений кристаллизуемого стекла в композиционной стеклокерамике на диэлектрическую проницаемость.